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晶体管
IRFD120PBF参考图片

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IRFD120PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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库存:38,643(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.5822
55.822
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.6838
1841.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
3.37 mm
长度
6.29 mm
系列
IRFD
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6.8 ns
商品其它信息
优势价格,IRFD120PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2998
1,000:¥5.763
3,000:¥5.763
参考库存:44807
晶体管
MOSFET PMN30XP/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *S
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.88366
参考库存:221724
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar 80V PNP 2.0A 8.75W 50pF Trans
1:¥47.9459
10:¥42.8044
100:¥39.0302
250:¥35.1882
参考库存:4751
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enhancement Mode
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:27553
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:47465
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