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晶体管
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STP18N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.0627
5531.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STP18N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP18N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EMH60T2R
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双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN Digital transistor(with built-in resistors)
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10:¥1.9775
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24,000:查看
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STD15N65M5
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100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
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参考库存:13517
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PMT280ENEAX
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1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,000:¥1.00683
参考库存:8163
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