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晶体管
SI3900DV-T1-E3参考图片

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SI3900DV-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN
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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4749
64.749
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.2714
2135.7
1,000
¥3.3787
3378.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.15 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI3
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI3900DV-E3
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，SI3900DV-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS150R07PE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 150A 650V
1:¥1,097.1961
5:¥1,075.6018
10:¥1,025.5089
25:¥1,003.9937
参考库存:4569
ZXMP3A16DN8TA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
参考库存:7131
TK25N60X,S1F
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥32.8152
10:¥26.3516
100:¥24.0464
250:¥21.6734
参考库存:5018
500-00001
Parallax
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2N3904 Transistor
1:¥2.3052
5:¥2.2261
10:¥2.0792
25:¥2.0001
50:¥1.9888
参考库存:8235
RN2501(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:17152
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