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晶体管
AUIRFU8401参考图片

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AUIRFU8401

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.2mOhm 100A
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库存:6,086(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.91
791
500
¥6.893
3446.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
CoolIRFet
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
198 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7.9 ns
零件号别名
SP001518756
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRFU8401的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,000:¥3.2092
参考库存:46024
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 150V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:11536
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V
1:¥594.2783
5:¥576.9102
10:¥564.548
25:¥540.8745
参考库存:4178
晶体管
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:62415
晶体管
MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:44087
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