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晶体管
SSM6J507NU,LF参考图片

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SSM6J507NU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN6B-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.6 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
SSM6J507
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
55 ns
商品其它信息
优势价格,SSM6J507NU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:87423
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
500:¥13.9894
1,000:¥11.8311
参考库存:6500
晶体管
MOSFET BUK9M24-60E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
1,500:¥1.6272
参考库存:39002
晶体管
MOSFET 40V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥7.6049
10:¥6.2715
100:¥4.8138
500:¥4.1358
1,000:¥3.2657
3,000:¥3.051
参考库存:31504
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
参考库存:152146
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