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晶体管
NVMFS5C426NWFAFT3G参考图片

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NVMFS5C426NWFAFT3G

  • ON Semiconductor
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  • MOSFET T6-D3F 40V NFET
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10,000
¥6.1359
61359
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
41 A, 235 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W, 128 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS5C426NWFAFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥197.7048
200:¥181.4215
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参考库存:42006
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