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晶体管
BSS131H6327XTSA1参考图片

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BSS131H6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
110 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.06 S
下降时间
64.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.7 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
零件号别名
BSS131 BSS131H6327XT H6327 SP000702620
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS131H6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC846BPN,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR 56BS/SOT363/
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:298732
NVD4810NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
参考库存:14319
IRLMS1503TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3334
参考库存:21296
2SJ168TE85LF
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V
1:¥7.0738
10:¥5.4353
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
3,000:¥2.3617
参考库存:3998
BTS244ZE3062AATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
1:¥28.9732
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
1,000:¥15.368
2,000:查看
参考库存:4310
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