BSS8402DW-7-F详细参数_参考价格_BSS8402DW-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V, 50 V
Id-连续漏极电流	115 mA, 130 mA
Rds On-漏源导通电阻	7.5 Ohms, 10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V, 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压	5 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	200 mW
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS84
晶体管类型	1 N-Channel, 1 P-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值	0.08 S, 0.05 S
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11 ns, 18 ns
典型接通延迟时间	7 ns, 10 ns
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBF5486	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor	1:¥3.1527 10:¥1.9888 100:¥0.85315 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:28642
CSD19501KCS	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET	1:¥14.3736 10:¥12.2153 100:¥9.6841 500:¥8.5315	参考库存:3884
PBHV8118T,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 180V 1A NPN HI VLTGE LO VCESAT TRANSISTOR	1:¥2.9945 10:¥2.2826 100:¥1.2317 1,000:¥0.92999 3,000:¥0.79891	参考库存:30671
IRFBC30PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET	1:¥11.1418	参考库存:5693
VT6X2T2R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN	1:¥3.0736 10:¥2.147 100:¥0.9831 1,000:¥0.76049 8,000:¥0.59212 24,000:查看	参考库存:41025