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晶体管
SQ2361ES-T1_GE3参考图片

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SQ2361ES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.6612
36.612
100
¥2.712
271.2
500
¥2.2261
1113.05
3,000
¥1.5707
4712.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SQ2361ES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP41,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:8389
ZTX949STZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:14081
2PS06017E32G28213
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
1:¥38,695.0872
参考库存:4078
STP18N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
参考库存:9065
IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
2,500:¥5.989
5,000:查看
参考库存:13357
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