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晶体管
FDS4435BZ参考图片

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FDS4435BZ

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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥2.0001
2000.1
2,500
¥2.0001
5000.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.8 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS4435BZ
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FDS4435BZ_NL
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格,FDS4435BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 79A 4MOHM
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
5,000:¥2.2487
参考库存:25873
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9043
5,000:¥5.1302
10,000:查看
参考库存:8530470
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:20472
晶体管
MOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
1:¥3.3787
10:¥2.373
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:25882
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:25887
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