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晶体管
C3M0075120K参考图片

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C3M0075120K

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
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库存：8,981(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥96.05
96.05
100
¥93.5866
9358.66
500
¥89.0553
44527.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
15 V, - 4 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
119 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
8.3 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，C3M0075120K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
9,000:¥0.99892
参考库存:13309
SUD09P10-195-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
1:¥6.7574
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.8815
参考库存:143976
SUP70090E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
参考库存:5658
ULN2003APWR
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.6724
参考库存:129445
CGH40035F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:5297
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