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晶体管
VS-GP300TD60S参考图片

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VS-GP300TD60S

  • Vishay Semiconductors
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Ic 300A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
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数量单价合计
1
¥1,150.9841
1150.9841
5
¥1,128.3954
5641.977
10
¥1,075.76
10757.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DIAP
安装风格
Chassis Mount
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
-
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
Pd-功率耗散
1.136 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic
580 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GP300TD60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.07576
参考库存:46088
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:22840
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
1:¥23.5153
10:¥18.9049
100:¥15.5262
500:¥13.9894
参考库存:6337
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0964
500:¥6.2602
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:11889
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥33.9678
10:¥28.8941
100:¥25.0521
250:¥23.7413
参考库存:6096
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