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晶体管
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MRFE6S9060NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET
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数量单价合计
1
¥275.2454
275.2454
5
¥266.0924
1330.462
10
¥256.8716
2568.716
25
¥253.8771
6346.9275
500
¥206.0894
103044.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
66 V
增益
21.1 dB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
1 GHz
系列
MRFE6S9060NR1
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935309637528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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