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晶体管
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IPB015N04NGATMA1

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数量单价合计
1
¥29.8885
29.8885
10
¥25.3572
253.572
100
¥21.9785
2197.85
250
¥20.905
5226.25
1,000
¥15.7522
15752.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
250 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
G IPB015N04N IPB15N4NGXT SP000391522
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB015N04NGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFR9N20DTRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC
1:¥7.91
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
3,000:¥3.6047
参考库存:10076
BSR315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:70518
DTA123YKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:20480
IPA60R380P6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
参考库存:14192
AUIRF3004WL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms
1:¥39.1884
10:¥33.3463
100:¥28.8941
250:¥27.4364
参考库存:5144
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