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晶体管
MRFE6VP100HR5参考图片

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MRFE6VP100HR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
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数量单价合计
1
¥691.0967
691.0967
5
¥677.7288
3388.644
10
¥655.287
6552.87
25
¥627.5568
15688.92
50
¥618.9462
30947.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
141 V
增益
26 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1800 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VP100H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935319905178
单位重量
6.396 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP100HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:63097
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥283.0763
5:¥272.0136
10:¥261.7984
25:¥240.5883
参考库存:4209
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3
1:¥4.2262
10:¥2.3843
100:¥1.2882
500:¥1.02152
3,000:¥0.66105
6,000:查看
参考库存:25001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:15603
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:15730
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