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晶体管
SI2369DS-T1-GE3参考图片

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SI2369DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:331,943(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5368
768.4
3,000
¥1.08367
3251.01
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.6 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2369DS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:31600
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 3.0 mo FET
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6161
500:¥4.9607
1,500:¥3.4691
9,000:查看
参考库存:68462
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
1:¥7.1416
10:¥6.1133
100:¥4.7008
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:3099
晶体管
MOSFET N and P Channel
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:4106
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:16608
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