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晶体管
RD3L220SNTL1参考图片

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RD3L220SNTL1

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
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数量单价合计
1
¥10.9836
10.9836
10
¥9.379
93.79
100
¥7.1529
715.29
500
¥6.328
3164
2,500
¥6.328
15820
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
RD3L220SN
商品其它信息
优势价格，RD3L220SNTL1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRGPS60B120KDP
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
1:¥164.5958
5:¥162.9008
10:¥151.8381
25:¥145.0016
参考库存:4616
SIB912DK-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.8702
500:¥2.1018
3,000:¥1.4351
6,000:查看
参考库存:35468
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 168A, 2.6mOhm
1:¥10.1474
10:¥8.9948
100:¥7.0964
500:¥5.5031
2,500:¥3.9324
5,000:查看
参考库存:4900
IRGP35B60PDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:7602
RUE002N02TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 20V, 0.2A
1:¥3.0736
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:26409
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