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晶体管
SI4554DY-T1-GE3参考图片

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SI4554DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥4.9042
49.042
100
¥3.729
372.9
500
¥3.0736
1536.8
1,000
¥2.4634
2463.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC, 41.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W, 3.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S, 27 S
下降时间
7 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 50 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI4554DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥30.8942
10:¥26.2838
100:¥22.826
250:¥21.5943
800:¥16.3624
2,400:查看
参考库存:39890
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥4.3053
10:¥3.6047
100:¥2.1922
1,000:¥1.695
2,000:¥1.4577
参考库存:39895
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥22.826
10:¥20.5886
50:¥18.4416
100:¥16.5997
参考库存:39900
晶体管
MOSFET Dual 30V P channel Mosfet
1:¥9.831
10:¥8.6784
100:¥6.893
500:¥5.3449
2,500:¥3.8307
5,000:查看
参考库存:39905
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,3mW PNP Transistor
1:¥0.99892
10:¥0.92208
100:¥0.5989
1,000:¥0.20001
3,000:¥0.1695
参考库存:39910
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