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晶体管
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FDBL0210N80

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数量单价合计
1
¥42.4202
42.4202
10
¥36.0357
360.357
100
¥31.2784
3127.84
250
¥29.6625
7415.625
2,000
¥21.2892
42578.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-PSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.48 mm
系列
FDBL0210N80
宽度
9.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
850.050 mg
商品其它信息
优势价格,FDBL0210N80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V
2,500:¥2.0453
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参考库存:26784
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10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,500:¥2.9606
9,000:查看
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20,000:¥0.18419
50,000:¥0.16159
100,000:¥0.13786
参考库存:26794
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