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IPDD60R190G7XTMA1

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1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2154
1421.54
500
¥12.4526
6226.3
1,700
¥9.605
16328.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HDSOP-10
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
76 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
6.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1700
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPDD60R190G7 SP001632844
商品其它信息
优势价格，IPDD60R190G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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