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产品分类

晶体管
SQJ410EP-T1_GE3参考图片

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SQJ410EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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库存:31,036(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥14.1363
141.363
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
3,000
¥7.4128
22238.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ410EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:37451
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
参考库存:7598
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
参考库存:6935
晶体管
MOSFET 30V 23A 3.5W
1:¥17.4472
10:¥14.4414
100:¥11.2209
500:¥9.831
2,500:¥9.831
参考库存:25072
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,000:¥4.407
参考库存:72104
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