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晶体管
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RFD14N05LSM

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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2093
52.093
100
¥3.3561
335.61
1,000
¥2.6894
2689.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
RFD14N05LSM
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
RFD14N05LSM_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，RFD14N05LSM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CN86 FAST IGBT U
240:¥18.7467
250:¥17.8314
500:¥15.9782
1,000:¥13.447
参考库存:37336
DMN1019USN-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
10,000:¥0.82264
参考库存:44645
U233
InterFET
晶体管
JFET Dual JFET N-Ch -50V 50mA 300mW 10Vgs
1:¥127.6335
10:¥107.35
100:¥98.7394
250:¥90.061
参考库存:44650
MMRF1020-04NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:44655
IMX18T208
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:44660
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