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晶体管
STGF15H60DF参考图片

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STGF15H60DF

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
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库存:7,188(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
30 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF15H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF15H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench
1,000:¥4.2827
3,000:¥3.8081
10,000:¥3.6612
25,000:¥3.5482
参考库存:48037
晶体管
MOSFET
1,000:¥8.2942
2,000:¥7.7631
5,000:¥7.5032
10,000:¥7.2094
参考库存:48042
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
参考库存:48047
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1.0A 1.3W
2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:48052
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 12V
6,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.83733
参考库存:48057
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