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晶体管
SQM60N06-15_GE3参考图片

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SQM60N06-15_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V 60A 100W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.2889
152.889
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
800
¥8.6106
6888.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQM60N06-15_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 65V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:152467
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MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:3589
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.4069
1,000:¥1.921
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1:¥9.1417
10:¥7.5258
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 45V
1:¥1.3786
10:¥1.2091
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:49270
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