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晶体管
ALD210804SCL参考图片

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ALD210804SCL

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库存:41,161(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥29.5043
1475.215
100
¥27.5833
2758.33
250
¥24.8939
6223.475
500
¥22.3627
11181.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-16
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
70 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD210804S
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
666 mg
商品其它信息
优势价格,ALD210804SCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
800:¥8.5315
参考库存:4746
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:50153
晶体管
MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.9049
500:¥16.9839
参考库存:6465
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:25717
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥14.8256
10:¥12.2944
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.9043
参考库存:3524
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