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晶体管
STGWT20H65FB参考图片

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STGWT20H65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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库存:9,916(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
10,000:查看
参考库存:4122
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,000:¥7.3789
参考库存:16979
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
2,500:¥7.91
5,000:查看
参考库存:6636
晶体管
MOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:19098
晶体管
MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
1:¥5.6048
10:¥4.5991
100:¥2.9719
1,000:¥2.373
5,000:¥2.0001
参考库存:53600
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