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晶体管

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RM21N650T1

  • Rectron
  • 最新
  • MOSFET TO-220F MOSFET
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库存:36,991(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥12.3735
12373.5
2,000
¥10.5994
21198.8
4,000
¥9.6841
38736.4
10,000
¥8.8366
88366
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,RM21N650T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel
69:¥103.508
100:¥95.2025
250:¥86.8292
500:¥81.1453
参考库存:47789
晶体管
MOSFET -30V, -36A, Single P Channel Power MOSFET
10,000:¥1.5707
20,000:¥1.5142
参考库存:47794
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
2,500:¥6.8591
5,000:查看
参考库存:47799
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage Fast Switching NPN Transistor with diode
15,000:¥2.0227
24,375:¥1.9436
参考库存:47804
晶体管
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms
3,000:¥6.4749
6,000:¥6.2263
9,000:¥5.989
参考库存:47809
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