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晶体管

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RM90N30LD-T

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  • MOSFET D-PAK MOSFET
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数量单价合计
5,000
¥1.5481
7740.5
10,000
¥1.4125
14125
25,000
¥1.3899
34747.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
105 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,RM90N30LD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:53649
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
参考库存:93651
晶体管
MOSFET 30V 14A 1.5W
1:¥11.2209
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.1359
1,000:¥5.2206
3,000:¥4.9607
参考库存:24061
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:8658
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.763
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:24068
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