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晶体管
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STF11NM50N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
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数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.9102
5955.1
1,000
¥9.831
9831
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
470 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF11NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF11NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥197.7048
200:¥181.4215
500:¥172.664
参考库存:42006
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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