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晶体管
NTD4858N-35G参考图片

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NTD4858N-35G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
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数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.8138
48.138
100
¥3.1075
310.75
1,000
¥2.486
2486
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.45 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
54.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
NTD4858N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.3 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.8 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，NTD4858N-35G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KST43MTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:116035
FQB4N80TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
参考库存:12522
BFU550AR
NXP Semiconductors
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
参考库存:9369
DMN6070SFCL-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:29561
FS100R17PE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 100A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:4343
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