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晶体管
PXAC182002FC-V1-R250参考图片

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PXAC182002FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：53,225(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥658.5979
164649.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
180 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC182002FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF2807PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:16688
IPA90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥44.0248
10:¥37.4256
100:¥32.431
250:¥30.736
500:¥27.5833
参考库存:7385
IKD06N60RATMA1
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1:¥10.4525
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100:¥6.893
500:¥6.0907
2,500:¥4.2601
10,000:查看
参考库存:17232
NVD6415ANT4G
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100:¥4.746
500:¥4.1923
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:17674
TPN7R506NH,L1Q
Toshiba
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1:¥7.2207
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9211
5,000:¥2.7459
10,000:查看
参考库存:20961
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