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晶体管
TSM1NB60CH C5G参考图片

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TSM1NB60CH C5G

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库存:51,815(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥2.26
33900
26,250
¥2.2148
58138.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
14.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.3 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
单位重量
343.100 mg
商品其它信息
优势价格,TSM1NB60CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET UDFN 20V 8.2A 18MOHM
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:21908
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.99892
10:¥0.90626
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:91015
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
500:¥23.278
参考库存:5387
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:76354
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.8419
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
8,000:¥0.23052
24,000:查看
参考库存:117181
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