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晶体管
DMN3012LDG-13参考图片

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DMN3012LDG-13

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-B
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC, 12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
27 S, 46 S
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3012LDG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥937.6062
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9,000:¥0.70738
24,000:¥0.64523
45,000:¥0.62263
99,000:¥0.5989
参考库存:50658
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥728.3641
5:¥704.8488
10:¥682.8816
25:¥650.993
参考库存:50663
晶体管
MOSFET
3,000:¥8.2942
6,000:¥7.9891
9,000:¥7.684
参考库存:50668
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,040.2554
参考库存:50673
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