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APTGT150TL60G

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100
¥937.6062
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT150TL60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA144TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42141
CSD17556Q5BT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
250:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.831
2,500:¥9.1417
5,000:¥8.8366
参考库存:42146
PH3134-75S
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,558.0036
参考库存:42151
STH110N8F7-2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
参考库存:42156
IPA65R110CFDXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
500:¥27.3573
1,000:¥23.052
2,500:¥21.8994
参考库存:42161
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