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晶体管

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STGFW40H65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.4469
5723.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
62.5 W
系列
STGFW40H65FB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGFW40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.58421
参考库存:17270
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.6048
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
参考库存:9442
晶体管
MOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:16614
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:12841
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
2,000:¥0.79891
参考库存:26693
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