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晶体管
SIHH11N65E-T1-GE3参考图片

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SIHH11N65E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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数量单价合计
3,000
¥16.0573
48171.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
316 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
E
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH11N65E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VT6Z1T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
参考库存:43742
FJA4310OTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.893
参考库存:4249
FP25R12U1T4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 25A 1200V
1:¥577.2944
5:¥566.695
10:¥552.0163
25:¥541.2587
参考库存:4266
BD787G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 60V 15W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
参考库存:15263
2N4401TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
2,000:¥0.33787
参考库存:79240
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