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晶体管
TSM9NB50CZ C0G参考图片

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TSM9NB50CZ C0G

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数量单价合计
4,000
¥3.8985
15594
5,000
¥3.7064
18532
10,000
¥3.6273
36273
25,000
¥3.5482
88705
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
720 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.3 ns
典型接通延迟时间
27.4 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，TSM9NB50CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MS1001
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:27984
BCX70J,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:106036
APT20M38SVRG/TR
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥153.1376
5:¥147.1486
10:¥141.6116
25:¥130.1647
参考库存:27991
AGR09030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:27996
BCP69,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
4,000:¥0.79891
参考库存:28001
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