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晶体管

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FF300R12ME3

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数量单价合计
10
¥1,012.9772
10129.772
30
¥991.6993
29750.979
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
500 A
封装 / 箱体
Econo D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12ME3BOSA1 SP000317624
商品其它信息
优势价格,FF300R12ME3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN PNP 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:22833
晶体管
MOSFET 60V 115mA N-Channel
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6424710
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:28582
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:16084
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥36.499
10:¥29.3574
25:¥28.815
100:¥26.7358
参考库存:1166
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