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晶体管
ULN2003AIDE4参考图片

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ULN2003AIDE4

  • Texas Instruments
  • 最新
  • 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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数量单价合计
1,320
¥2.3843
3147.276
2,000
¥2.1696
4339.2
5,000
¥2.0114
10057
10,000
¥1.9436
19436
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-16
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
系列
ULN2003AI
封装
Tube
高度
1.58 mm
长度
9.9 mm
工作温度范围
- 40 C to + 105 C
宽度
3.91 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
40
子类别
Transistors
单位重量
141.700 mg
商品其它信息
优势价格,ULN2003AIDE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥25.3572
10:¥22.8938
100:¥18.4416
500:¥12.7577
参考库存:5844
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.8365
10:¥6.1359
100:¥4.7912
500:¥3.5934
3,000:¥2.5538
6,000:查看
参考库存:44451
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V 6A
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:13783
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod
1:¥8.3733
10:¥7.1981
100:¥5.537
500:¥4.8816
2,500:¥3.4239
10,000:查看
参考库存:11805
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:52587
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