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晶体管

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VS-GB100TP120N

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
650 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB100TP120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
1:¥43.8779
10:¥37.3465
100:¥32.3519
250:¥30.6569
1,500:¥22.0576
参考库存:69189
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bridge Rectifier
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:9806
晶体管
分立半导体模块 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥4,149.586
5:¥3,899.5509
参考库存:2343
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT669
1:¥3.3787
10:¥2.7911
100:¥1.7063
1,000:¥1.3108
参考库存:9085
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:30047
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