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晶体管
DN0150BDJ-7参考图片

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DN0150BDJ-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR SMALL SIGNAL NPN/NPN
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数量单价合计
10,000
¥0.77631
7763.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DN0150
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 2 mA, 6 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DN0150BDJ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PMPB50ENE/SOT1220/SOT1220
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
参考库存:24165
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4521
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:18762
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
725:¥9.2999
1,000:¥7.684
2,500:¥6.9043
10,000:¥6.6331
参考库存:24172
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
1:¥3.3787
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
4,000:¥0.54579
参考库存:24177
晶体管
MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.554
6,000:查看
参考库存:24182
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