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晶体管

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VS-GB100LP120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
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库存:43,024(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥582.5263
13980.6312
48
¥563.7796
27061.4208
72
¥556.2425
40049.46
120
¥526.1958
63143.496
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
658 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB100LP120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Pre-Biased NPN 50V R1 47K R2 47
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:136107
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥2.034
参考库存:19619
晶体管
MOSFET 350V 10Ohm
1:¥9.7632
10:¥9.605
25:¥8.0682
100:¥7.3563
2,000:¥5.0737
4,000:查看
参考库存:9996
晶体管
IGBT 晶体管 600V 10A NPT IGBT
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
参考库存:7248
晶体管
MOSFET 40V 2Ohm
1:¥8.2942
10:¥8.2264
25:¥6.8817
100:¥6.2602
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:6445
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