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晶体管

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VS-GB400TH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
800 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.604 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB400TH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 / 40V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:32594
晶体管
JFET Junction FET
1:¥4.3844
10:¥3.1866
100:¥2.0001
500:¥1.6159
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3673
参考库存:15446
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 0.5A
1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:24638
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power SW
1:¥53.788
10:¥53.3247
25:¥48.5674
100:¥43.7988
参考库存:2645
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
2,000:¥0.32318
参考库存:48427
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