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晶体管
DMP2075UFDB-13参考图片

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DMP2075UFDB-13

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数量单价合计
10,000
¥0.81473
8147.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
8.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34.1 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34.3 ns
典型接通延迟时间
22.6 ns
商品其它信息
优势价格,DMP2075UFDB-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Matched Mono Quad
1:¥82.1397
10:¥73.9246
25:¥69.5402
50:¥65.3931
1,000:¥52.9405
参考库存:6761
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
参考库存:3773
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:18540
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.198
800:¥4.1132
参考库存:8622
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A PNP medium power transistors
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:11164
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