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晶体管
MPQ3798参考图片

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MPQ3798

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Noise 60Vcbo 40Vcbo 4.0pF
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数量单价合计
250
¥34.4198
8604.95
500
¥27.8884
13944.2
1,000
¥26.0465
26046.5
2,500
¥24.747
61867.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-116
晶体管极性
PNP
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
50 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
500 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
MPQ3798 PBFREE
商品其它信息
优势价格，MPQ3798的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKD15N60RAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
2,500:¥9.2999
5,000:¥8.9948
10,000:¥8.6106
参考库存:47145
FDPF4D5N10C
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm
1:¥46.104
10:¥39.1884
100:¥33.9678
250:¥32.2728
参考库存:27199
A2T21H141W24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥466.577
5:¥456.1245
10:¥438.2931
25:¥424.1568
参考库存:47152
MHT2000NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
500:¥312.8179
参考库存:47157
NTMFD5C462NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1,500:¥13.6052
4,500:¥13.0628
参考库存:47162
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