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2SB1132T100Q

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 1A SO-89
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8024
28.024
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1413
1141.3
2,000
¥0.9831
1966.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1132
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
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