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晶体管
TK40P03M1(T6RDS-Q)参考图片

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TK40P03M1(T6RDS-Q)

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 25W 410pF 0.074
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
74 mOhms
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK40P03M1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK40P03M1(T6RDS-Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 800A 1700V
1:¥7,278.1266
参考库存:2359
晶体管
MOSFET 25V 60A 83W
1:¥15.0629
10:¥12.5204
100:¥9.6841
500:¥8.5315
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.0682
参考库存:17086
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 45V 36W NPN
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:90423
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
1,000:¥4.2827
3,000:¥3.9776
参考库存:35755
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥15.594
10:¥12.9837
参考库存:30227
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