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晶体管
MRFE6VP5600HR5参考图片

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MRFE6VP5600HR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,431.5292
1431.5292
5
¥1,399.6406
6998.203
10
¥1,370.9838
13709.838
25
¥1,350.7681
33769.2025
50
¥1,301.6696
65083.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538178
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:80678
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:10685
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
参考库存:7232
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:44594
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:74556
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