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晶体管
NVMFS5C430NWFAFT1G参考图片

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NVMFS5C430NWFAFT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
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数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4919
3745.95
1,500
¥5.7743
8661.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
185 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
106 W, 3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
130 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFS5C430NWFAFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T07H310-24SR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
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DDTC123JLP-7
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双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
3,000:¥0.83733
参考库存:44525
DMN2024U-13
Diodes Incorporated
晶体管
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10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:44530
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
BUK765R2-40B,118
Nexperia
晶体管
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4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
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