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晶体管
CSD16406Q3参考图片

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CSD16406Q3

  • Texas Instruments
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  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3449
534.49
500
¥4.7234
2361.7
2,500
¥3.2996
8249
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16406Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns
典型接通延迟时间
7.3 ns
单位重量
43.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16406Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Small SIG 50V 45V VCEO 6.0V VEBO
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:99503
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥3.2318
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
5,000:¥1.09158
参考库存:23370
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:63667
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:13824
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥252.6454
5:¥242.7353
10:¥233.5936
25:¥214.6887
参考库存:1186
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